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咨询热线：13247610001 手机直线：13418500671 咨询热线：13247610001 手机直线：134185006713400 SOT-23 塑封 MOSFET
3400是一个30V 5.8A的N沟道MOS场效应管，3400适用于功率开关电路、电池保护线路、脉冲调制电路等。
QT3400场效应管引脚图：
QT3400场效应管极限值：
| 参数范围 | 特征 | 数值 |
| 漏极-源极电压 | VDS | 30V |
| 栅源电压 | VGS | ±12V |
| 持续漏极电流 | ID | 5.8A |
| 漏极电流脉冲（注 1） | IDM | 30A |
| 功耗 | PD | 350MV |
| 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 5.8A,10V | |
| 结温 | TJ | 150℃ |
| 类型 | N沟道 |
QT3400场效应管的特点：
高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)能力
开关速度快
低功耗
出色的导通电阻和最大直流电流能力
封装形式：SOT-23
电气特性（Ta=25℃除非另有说明）：
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Units | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Off Characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source breakdown voltage | V(BR) DSS | VGS = 0V, ID =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS =24V,VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-source leakage current | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| On characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source on-resistance (note 3) | RDS(on) | VGS =10V, ID =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, ID =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =2.5V,ID=4A | 52 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Forward tranconductance | gFS | VDS =5V, ID =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS =VGS, ID =250µA | 0.7 | 1.4 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dynamic Characteristics (note 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Input capacitance | Ciss | VDS =15V,VGS =0V,f =1MHz | 1050 | pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output capacitance | Coss | 99 | pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Reverse transfer capacitance | Crss | 77 | pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate resistance | Rg | VDS =0V,VGS =0V,f =1MHz | 3.6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Switching Characteristics (note 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on delay time | td(on) | VGS=10V,VDS=15V, RL=2.7Ω,RGEN=3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on rise time | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off delay time | td(off) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off fall time | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source diode characteristics and maximum ratings | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Diode forward voltage (note 3) | VSD | IS=1A,VGS=0V | 1 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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