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咨询热线：13247610001 手机直线：13418500671 咨询热线：13247610001 手机直线：13418500671| 芯片型号 | 输入(V) | 输出(V) | 电流(A) | 效率 | MOS | 应用/保护功能 | 封装 | 包装(盘） | 规格书 | 状态 | 样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QT1035 | 45v-265v | 3v-18v | 200MA | 70%以上 | 内置 | 220v转3v 5v 9v 12v 18v | SOP-8 | 3000 |  |
量产 | 申请 |
* 上方QT1035芯片参数仅供参考，详细技术参数请以QT1035技术规格书为准
| (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=6V) | |||||||||||
| 符号 | 说明 | 条件 | 范围 | 单位 | |||||||
| 最小 | 典型 | 最大 | |||||||||
| VDD | VDD 工作电压 | DRAIN=20V | -- | 6.0 | -- | V | |||||
| IDD | 芯片静态工作电流 | VDD=6V FB=5V | -- | 450 | -- | uA | |||||
| VFB_CV | FB 端口恒压阈值 | -- | -- | 2 | -- | V | |||||
| FOSC | 芯片工作频率 | -- | -- | 60 | -- | kHz | |||||
| TLEB | 消隐时间 | -- | -- | 300 | -- | nS | |||||
| BV_DRAIN | DRAIN 端耐压 | -- | -- | 650 | -- | V | |||||
| Rdson | 内部集成 MOS 管导通电阻 | -- | -- | 20 | -- | Ohms | |||||
| 极限参数(TA= 25℃) | |||||||||||
| 符号 | 说明 | 范围 | 单位 | ||||||||
| VDD | 芯片电源 | -0.3 ~ 7 | V | ||||||||
| VFB | FB 端口输入电压 | -0.3 ~ 7 | V | ||||||||
| DRAIN | 内置高压 MOS 管漏极电压 | -0.3 ~ 650 | V | ||||||||
| TOPT | 工作温度 | -40 ~ 125 | ℃ | ||||||||
| TSTG | 存储温度 | -50 ~ 150 | ℃ | ||||||||
| ESD | ESD HBM | 标准：MIL-STD-883G METHEOD 3015； 等级：CLASS 2； 详细测试方法请见 ESD 报告。 | -- | ||||||||
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