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芯片型号 输入(V) 输出(V) 电流(A) 效率 MOS 应用/保护功能 封装 包装(盘) 规格书 状态 样品
QT1035 45v-265v 3v-18v 200MA 70%以上 内置 220v转3v 5v 9v 12v 18v SOP-8 3000 量产 申请

* 上方QT1035芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT1035技术规格书为准

QT1035芯片具有宽电压35Vac~265Vac输入,恒压输出精度±5%(3v-18v)电流200MA以内,可使用贴片电感或工字形电感,内置自恢复输出开短路保护功能,外围元件少、成本低、封装形式:SOP8。

QT1035芯片应用领域

 wifi供电
 蓝牙模块
待机电源
小家电应用
MCU或功能模组供电电源
QT1035芯片电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=6V)

符号说明条件范围单位

最小典型最大

VDDVDD 工作电压DRAIN=20V--6.0--V

IDD芯片静态工作电流VDD=6V FB=5V--450--uA

VFB_CVFB 端口恒压阈值----2--V

FOSC芯片工作频率----60--kHz

TLEB消隐时间----300--nS

BV_DRAINDRAIN 端耐压----650--V

Rdson内部集成 MOS 管导通电阻----20--Ohms

极限参数(TA= 25℃)

符号说明范围单位

VDD芯片电源-0.3 ~ 7V

VFBFB 端口输入电压-0.3 ~ 7V

DRAIN内置高压 MOS 管漏极电压-0.3 ~ 650V

TOPT工作温度-40 ~ 125

TSTG存储温度-50 ~ 150

ESDESD HBM标准:MIL-STD-883G    METHEOD    3015;
等级:CLASS 2;
详细测试方法请见 ESD 报告。
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