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mos管8205a引脚图 N沟道场效应管 8205 贴片MOSFET

作者:嘉芯业科技 来源:本站 最新更新于:2019-10-11 11:40:20 分享:

N沟道场效应管 8205的引脚图: N沟道场效应管 8205的描述: 8205是共漏极N沟道增强型场效应管。具有快速开关,超低导通电阻和高性价比的特点。该器件适用于电池保护或低压开关的电路。

N 沟道增强型功率 MOSFET
mos管8205a引脚图
8205A N沟道场效应管描述:
8205A N沟道场效应管采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用

8205A N沟道场效应管特征:

●VDS= 19.5V,ID= 6ARDS(ON)< 37mΩ@ VGS=2.5VRDS(ON)< 27mΩ@ VGS=4.5V
●高功率和电流处理能力
●获得无铅产品
●表面贴装封装

 
8205A N沟道场效应管应用:
电池保护
●负载开关
电源管理



8205A N沟道场效应管电气特性(TA=25℃除非另有说明):
ParameterSymbolConditionMinTypMaxUnit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown VoltageBVDSSVGS=0V ID=250μA19.521
V
Zero Gate Voltage Drain CurrentIDSSVDS=19.5V,VGS=0V

1μA
Gate-Body Leakage CurrentIGSSVGS=±10V,VDS=0V

±100nA
On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold VoltageVGS(th)VDS=VGS,ID=250μA0.50.71.2V
Drain-Source On-State ResistanceRDS(ON)VGS=4.5V, ID=4.5A
2127mΩ
VGS=2.5V, ID=3.5A
2737mΩ
Forward TransconductancegFSVDS=5V,ID=4.5A
10
S
Dynamic Characteristics (Note4)
Input CapacitanceClssVDS=8V,VGS=0V, F=1.0MHz
600
PF
Output CapacitanceCoss
330
PF
Reverse Transfer CapacitanceCrss
140
PF
Switching Characteristics (Note 4)
Turn-on Delay Timetd(on)VDD=10V,ID=1A VGS=4.5V,RGEN=6Ω
1020nS
Turn-on Rise Timetr
1125nS
Turn-Off Delay Timetd(off)
3570nS
Turn-Off Fall Timetf
3060nS
Total Gate ChargeQgVDS=10V,ID=6A, VGS=4.5V
1015nC
Gate-Source ChargeQgs
2.3
nC
Gate-Drain ChargeQgd
1.5
nC
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)VSDVGS=0V,IS=1.7A
0.751.2V
Diode Forward Current (Note 2)IS


1.7A