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| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 功率(Pd) | 2W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ 4.5V,4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V 250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.24nC 4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 522.3pF 8V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 74.69pF 8V | |
| 工作温度(最小值) | -55℃ (Tj) | |
| 工作温度(最大值) | +150℃ (Tj) |
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