QT5P01MI-P沟道中低压MOS管-深圳市嘉芯业科技芯片

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mos管型号	沟道	封装	内阻(mΩ)	电流(A)	耐压(V)	状态	代替型号	规格书	样品
QT5P01MI	P	SOT23-3	28mΩ	5A	18V	量产			申请

* 上方QT5P01MI芯片参数仅供参考，详细技术参数请以QT5P01MI技术规格书为准

全新功放器专用 QT5P01MI SOT-23-3 mos管场效应管
5P01MImos

QT5P01MI 描述

QT5P01MI 采用先进的沟槽技术

提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和

以低至 4.5V 的栅极电压运行。这个

设备适合用作

电池保护或其他开关应用。

QT5P01MI 一般特征:

VDS=-18V ID=-5A

RDS(ON)<-28mΩ@VGS=-10V

QT5P01MI 应用:

电池保护

负荷开关

不间断电源供应

QT5P01MI Description

The QT5P01MI uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as4.5V. This

device is suitable for use as a

Battery protection or in other Switching application.

QT5P01MI General Features

VDS=-18V ID=-5A

RDS(ON)<-28mΩ@VGS=-10V

QT5P01MI Application

Battery protection

Load switch

Uninterruptible power supply

标签：

QT5P01MI 5P01MImos

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