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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT5P01MI P SOT23-3 28mΩ 5A 18V 量产 申请

* 上方QT5P01MI芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT5P01MI技术规格书为准

全新 功放器专用 QT5P01MI SOT-23-3 mos管 场效应管
5P01MImos

QT5P01MI 描述
QT5P01MI 采用先进的沟槽技术
提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和
以低至 4.5V 的栅极电压运行。 这个
设备适合用作
QT5P01MI 一般特征:
VDS=-18V ID=-5A
RDS(ON)<-28mΩ@VGS=-10V
QT5P01MI 应用:
电池保护
负荷开关
不间断电源供应
 
QT5P01MI Description
The QT5P01MI uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as4.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
 
QT5P01MI General Features
VDS=-18V  ID=-5A
RDS(ON)<-28mΩ@VGS=-10V
 
QT5P01MI Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply


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