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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT40P02DF P DFN3X3-8L 9mΩ 40A 20V 量产 申请

* 上方QT40P02DF芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT40P02DF技术规格书为准

The 40P02DFMOS uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as2.5V. This device is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

40P02DFMOS General Features
VDS=-20V  ID=-40A
RDS(ON)<9mΩ@ VGS=-10V
40P02DFMOS
40P02DFMOS 
Application
Battery protectionLoad switch
Uninterruptible power supply

40P02DFMOS 使用先进的沟槽技术提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和
以低至 2.5V 的栅极电压运行。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用
 
40P02DFMOS 一般特点
VDS=-20V ID=-40A
RDS(ON)<9mΩ@ VGS=-10V
 
电池保护负载开关
不间断电源

Absolute Maximum Ratings(TA=25℃unless otherwise noted)


SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-Source Voltage-20V
VGSGate-Source Voltage±8V
ID@TC=25Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1-20A
ID@TC=70Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1-18A
IDMPulsed Drain Current2-100A
PD@TC=25Total Power Dissipation329W
PD@TC=70Total Power Dissipation319W
TSTGStorage Temperature Range-55 to 150
TJOperating Junction Temperature Range-55 to 150
RθJAThermal Resistance Junction-Ambient 175℃/W
RθJAThermal Resistance Junction-Ambient (t ≤10s)40℃/W
RθJCThermal Resistance Junction-Case14.2℃/W

Typical Characteristics
40P02DFmos

 



 


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