QT40P02DF-P沟道中低压MOS管-深圳市嘉芯业科技芯片

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mos管型号	沟道	封装	内阻(mΩ)	电流(A)	耐压(V)	状态	代替型号	规格书	样品
QT40P02DF	P	DFN3X3-8L	9mΩ	40A	20V	量产			申请

* 上方QT40P02DF芯片参数仅供参考，详细技术参数请以QT40P02DF技术规格书为准

The 40P02DFMOS uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as2.5V. This device is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

40P02DFMOS General Features

VDS=-20V ID=-40A

RDS(ON)<9mΩ@ VGS=-10V

40P02DFMOS Application

Battery protectionLoad switch

Uninterruptible power supply

40P02DFMOS 使用先进的沟槽技术提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和

以低至 2.5V 的栅极电压运行。该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

40P02DFMOS 一般特点

VDS=-20V ID=-40A

RDS(ON)<9mΩ@ VGS=-10V

电池保护负载开关

不间断电源

Absolute Maximum Ratings(TA=25℃unless otherwise noted)

Symbol	Parameter	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±8	V
ID@TC=25℃	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1	-20	A
ID@TC=70℃	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V1	-18	A
IDM	Pulsed Drain Current2	-100	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation3	29	W
PD@TC=70℃	Total Power Dissipation3	19	W
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-55 to 150	℃
RθJA	Thermal Resistance Junction-Ambient 1	75	℃/W
RθJA	Thermal Resistance Junction-Ambient 1 (t ≤10s)	40	℃/W
RθJC	Thermal Resistance Junction-Case1	4.2	℃/W

Typical Characteristics
40P02DFmos

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