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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT2305A P SOT23-3 110mΩ 3A 20V 量产 申请

* 上方QT2305A芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT2305A技术规格书为准

QT2305Amos管描述
QT2305AMOS管采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。 该器件适合用作负载开关或 PWM 应用。
QT2305AMOS一般特性
●VDS= -20V,ID= -4.1ARDS(ON)= 63mΩ@ VGS=-2.5V
RDS(ON)= 46mΩ@ VGS=-4.5V
●高功率和电流处理能力●表面贴装封装●无铅端子电镀●符合RoHS标准●无卤素
●PWM应用●负载开关●电源管理
2305Amos脚位封装图
QT2305ADescription
The  QT2305Auses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.
QT2305AGeneral Features
●VDS= -20V,ID= -4.1ARDS(ON)= 63mΩ@ VGS=-2.5V
RDS(ON)= 46mΩ@ VGS=-4.5V
●High power and current handing capability●Surface mount package●Pb free terminal plating●RoHS compliant●Halogen free
QT2305AApplication
●PWM applications●Load switch●Power management

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)
ParameterSymbolConditionMinTypMaxUnit
Zero Gate Voltage Drain CurrentIDSSVDS=-20V,VGS=0V---1μA
Gate-Body Leakage CurrentIGSSVGS=±12V,VDS




On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold VoltageVGS(th)VDS=VGS,ID=-250μ




Drain-Source On-State ResistanceRDS(ON)VGS=-4.5V, ID=-4.1A-4667mΩ
VGS=-2.5V, ID=-3A-6386
Forward TransconductancegFSVDS=-5V,ID




Dynamic Characteristics (Note4)
Input CapacitanceClssVDS=-4V,VGS=0V, F=1.0MHz




Output CapacitanceCoss




Reverse Transfer CapacitanceCrss-190-PF
Switching Characteristics (Note 4)
Turn-on Delay Timetd(on)VDD=-4V, ,RL=-1.2Ω, VGEN=-4.5V,Rg=1Ω




Turn-on Rise Timetr




Turn-Off Delay Timetd(off)




Turn-Off Fall Timetf




Total Gate ChargeQgVDS=-4V,ID=-4.1A,VGS=-4.5V




Gate-Source ChargeQgs




Gate-Drain ChargeQgd-1.6-nC
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)VSDVGS=0V,IS




Diode Forward Current (Note 2)IS













 


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