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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT2301 P SOT23-3 110mΩ 3A 20V 量产 ao2301 申请

* 上方QT2301芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT2301技术规格书为准

QT2301 MOS管说明
QT2301AI采用先进的沟槽
它利用最新的处理技术来实现高单元密度并降低导通电阻和高重复雪崩额定值。这些特点结合起来使这种设计
用于电源开关应用和各种其他应用的极其高效和可靠的设备
QT2301 MOS管一般特点
VDS=-20V,ID=-3A
RDS(ON)<110mΩ@VGS=4.5V
QT2301 MOS管应用
先进的 MOSFET 工艺技术专为 PWM、负载开关和通用应用而设计
具有低栅极电荷的超低导通电阻快速开关和反向体恢复
150℃工作温度


                 贴片2301mos管引脚图
贴片2301mos管引脚图


QT2301 MOS属性QT2301 MOS参数值 
QT2301 MOS商品目录场效应管(MOSFET)
QT2301 MOS功率(Pd)1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ 3A,4.5V
漏源电压(Vdss)20V
QT2301 MOS类型P沟道
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V 250μA
连续漏极电流(Id)3A



QT2301 MOSDescription
TheQT2301AIuses advanced trench
It utilizes the latest processing techniquesto achievethe high cell density and reduces theon-resistance with high repetitive avalanche rating.These features combine to make this design
an extremelyefficient and reliable device for usein power switching application and a wide varietyof other applications
General Features
VDS=-20V,ID=-3A
RDS(ON)<110mΩ@VGS=4.5V
QT2301 MOSApplication
Advanced MOSFET process technologySpecial designed for PWM, load switching andgeneral purpose applications
Ultra low on-resistance with low gate chargeFast switching and reverse body recovery
150℃operating temperature

Maximum ratings (Ta=25℃unless otherwise noted)
ParameterSymbolValueUnit
Drain-Source VoltageVDS20V
Gate-Source VoltageVGS±12
Continuous Drain CurrentID6A
Pulsed Drain CurrentIDM25
Maximum Body-Diode Continuous CurrentIS2
Power DissipationPD0.35W
Thermal Resistance from Junction to AmbientRθJA357℃/W
Junction TemperatureTJ150
Storage TemperatureTstg-55 ~+150





 
 


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