mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
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QT7002 | SOT23-3 | 7.5mΩ | 100MA | 60V | 量产 | 2N7002,GM7002 | ![]() |
申请 |
* 上方QT7002芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT7002技术规格书为准
7002 SOT-23 导通电阻小 60V N沟道MOS管 绝缘栅场效应管
QT7002的极限值:
漏极-源极电压:60V
栅极-源极电压:±20V
漏极电流-连续:115mA
漏极电流-脉冲:800mA
QT7002的热特性:
总耗散功率:225mW
热阻:417℃/W
结温和存储温度:150℃,-55~+150℃
7002属性 | 7002参数值 | |
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mos | 7002场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
功率(Pd) | 200mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250μA |
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