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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT7002 SOT23-3 7.5mΩ 100MA 60V 量产 2N7002,GM7002 申请

* 上方QT7002芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT7002技术规格书为准

7002 SOT-23 导通电阻小 60V N沟道MOS管 绝缘栅场效应管

QT7002的极限值:


漏极-源极电压:60V

栅极-源极电压:±20V

漏极电流-连续:115mA

漏极电流-脉冲:800mA

QT7002 mos管引脚图


QT7002的热特性:


总耗散功率:225mW

热阻:417℃/W

结温和存储温度:150℃,-55~+150℃

7002属性7002参数值
mos7002场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
功率(Pd)200mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250μA




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