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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT2300A N SOT23-3 27mΩ 6A 20V 量产 AO2300 申请

* 上方QT2300A芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT2300A技术规格书为准

2300mos场效应管一般特征2300 mos GeneralFeatures

VDSS=20VID=6.0A
RDS(on)<27Ω@VGS=4.5V 
RDS(on)<42Ω@VGS=2.5V

RDS(on)<73mΩ@VGS=1.8V

AO2300封装参数说明
The QT2300 uses advanced trench technology to provide excellentRDS (on).This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch.



QT2300Maximum ratings (Ta=25℃unless otherwise noted)

ParameterSymbolValueUnit
Drain-Source VoltageVDS20       V
Gate-Source VoltageVGS±12
Continuous Drain CurrentID6A
Pulsed Drain CurrentIDM25
Maximum Body-Diode Continuous CurrentIS2
Power DissipationPD0.35W
Thermal Resistance from Junction to AmbientRθJA357    ℃/W
Junction TemperatureTJ150
Storage TemperatureTstg-55 ~+150



 
 
 


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