mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
QT2300A | N | SOT23-3 | 27mΩ | 6A | 20V | 量产 | AO2300 | ![]() |
申请 |
* 上方QT2300A芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT2300A技术规格书为准
2300mos场效应管一般特征2300 mos GeneralFeatures
Parameter | Symbol | Value | Unit |
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V |
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | |
Continuous Drain Current | ID | 6 | A |
Pulsed Drain Current | IDM | 25 | |
Maximum Body-Diode Continuous Current | IS | 2 | |
Power Dissipation | PD | 0.35 | W |
Thermal Resistance from Junction to Ambient | RθJA | 357 | ℃/W |
Junction Temperature | TJ | 150 | ℃ |
Storage Temperature | Tstg | -55 ~+150 |
了解更多深圳嘉芯业科技QT2300A最新应用方案,请联系我们。免费提供样品、测试板及方案开发,如需要QT2300A N MOS样品请点击申请。