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咨询热线：13247610001 手机直线：13418500671 咨询热线：13247610001 手机直线：13418500671| mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QT80N03 | TO-252 | 6mΩ | 80A | 30v | 量产 | 80n03 |  |
申请 |
* 上方QT80N03芯片参数仅供参考，详细技术参数请以QT80N03技术规格书为准
QT80N03特征：
RDS(ON), VGS@10V,ID@20A<6mΩ
RDS(ON),VGS@4.5V,ID@10A<9mΩ
高切换速度
改进的 dv/dt 功能
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅符合欧盟 RoHS 2.0
符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料
QT80N03 Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER | SYMBOL | LIMIT | UNITS | |
Drain-Source Voltage | VDS | 30 | V | |
Gate-Source Voltage | VGS | +20 | ||
Continuous Drain Current (Note 4) | TC=25oC | ID | 80 | A |
TC=100oC | 50 | |||
Pulsed Drain Current (Note 1) | TC=25oC | IDM | 320 | |
Power Dissipation | TC=25oC | PD | 55 | W |
TC=100oC | 22 | |||
Continuous Drain Current (Note 4) | TA=25oC | ID | 15 | A |
TA=70oC | 12 | |||
Power Dissipation | TA=25oC | PD | 2 | W |
TA=70oC | 1.3 | |||
Single Pulse Avalanche Energy (Note 6) | EAS | 80 | mJ | |
Operating Junction and Storage Temperature Range | TJ,TSTG | -55~150 | oC | |
Typical Thermal Resistance (Note 4,5) | Junction to Case | RθJC | 2.3 | oC/W |
Junction to Ambient | RθJA | 62.5 | ||
QT80N03Features：
RDS(ON), VGS@10V,ID@20A<6mΩ
RDS(ON),VGS@4.5V,ID@10A<9mΩ
High switching speed
Improved dv/dt capability
Low Gate Charge
Low reverse transfer capacitance
Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249standard
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