mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
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QT5N10 | N | SOT23-3 | 28mΩ | 5A | 100v | 量产 | NP5N10 | ![]() |
申请 |
* 上方QT5N10芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT5N10技术规格书为准
AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃unlessotherwisenoted)
Parameter | Symbol | Limit | Unit | |
Drain-Source Voltage | VDS | 100 | V | |
Gate-Source Voltage | VGS | ±20 | V | |
Drain Current-Continuous | ID | 3 | A | |
Drain Current-Pulsed (Note 1) | IDM | 20 | A | |
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |
Operating Junction and Storage Temperature Range | TJ,TSTG | -55 To 175 | ℃ | |
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) | RθJA | 100 | ℃/W | |
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