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QT100N03-mos管自激电路图

作者：嘉芯业科技 来源：本站 最新更新于：2020-08-05 15:57:57 分享：
100N03mosDescription
TheQT100N03uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as4.5V. Thisdevice is suitable for use as aBattery protection or in other Switching application.

晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):5.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:10V
 
封装类型:TO-252
针脚数:3
 
mos自激电路图


本方案关键词标签： mos管自激电路图 QT100N03

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