me15n10场效应管参数

联系:刘生13247610001 分类:15n10参数 更新时间:2021-12-22 11:49:28 浏览量:613 询价:联系我

我司有me15n10场效应管参数是N通道逻辑增强模式电源场效应晶体管,使用高单元密度,DMOS沟槽技术这种高密度工艺特别适合于

最小化通态电阻。这些设备特别适合适用于低电压应用,如手机、笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路,

以及在非常小的外形中所需的低串联功率损耗表面贴装封装。完成可直接代替ME15N10的mos管。

me15n10场效应管参数

15N10属性参数值
me15n10场效应管参数场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14.7A
功率(Pd)34.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250μA

型号:15N10-G       封装TO-252


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