15n10场效应管现货

联系:刘生13247610001 分类:15n10参数 更新时间:2021-12-24 14:20:42 浏览量:129 询价:联系我
mos管型号沟道封装内阻(mΩ)电流(A)耐压(V)状态代替型号规格书样品
15N10
TO-25285mΩ10A100v量产15N10申请


* 上方15N10芯片参数仅供参考,详细技术参数请以15N10技术规格书为准

15n10属性15n10参数值
15n10场效应管现货场效应管(MOSFET)
15n10场效应管现货N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
功率(Pd)28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250μA

15n10场效应管参数

15N10 MOS描述15n10场效应管现货


The QT 15N10 is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses QT’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The QT 15N10 is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and load switch.

15N10 mos特性15n10场效应管现货


• RDS(ON)=0.08Ω @VGS=10V,ID=8A
• Low gate charge (Typ=24nC) 
• Low CRSS (Typ=23pF)
• High switching speed


深圳嘉芯业致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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