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3400场效应管 QT3400 SOT-23 N沟道MOS管

作者:嘉芯业科技 来源:本站 最新更新于:2021-10-08 10:51:10 分享:

3400 SOT-23 塑封 MOSFET
3400是一个30V 5.8A的N沟道MOS场效应管,3400适用于功率开关电路、电池保护线路、脉冲调制电路等。
QT3400场效应管引脚图
3400mos管参数

QT3400场效应管极限值:

参数范围特征数值
漏极-源极电压VDS30V
栅源电压VGS±12V
持续漏极电流ID5.8A
漏极电流脉冲(注 1)IDM30A
功耗PD350MV
漏源导通电阻
35mΩ @ 5.8A,10V
结温TJ150℃
类型
N沟道






 QT3400场效应管的特点:

  • 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)能力

  • 开关速度快

  • 低功耗
    出色的导通电阻和最大直流电流能力

  • 封装形式:SOT-23

     电气特性(Ta=25℃除非另有说明)

    ParameterSymbolTest ConditionMinTypMaxUnits
    Off Characteristics
    Drain-source breakdown voltageV(BR) DSSVGS  = 0V, ID =250µA30

    V
    Zero gate voltage drain currentIDSSVDS  =24V,VGS = 0V

    1µA
    Gate-source leakage currentIGSSVGS  =±12V, VDS  = 0V

    ±100nA
    On characteristics
    Drain-source on-resistance (note 3)RDS(on)VGS  =10V, ID =5.8A

    35mΩ
    VGS  =4.5V, ID =5A

    40mΩ
    VGS  =2.5V,ID=4A

    52mΩ
    Forward tranconductancegFSVDS  =5V, ID =5A8

    S
    Gate threshold voltageVGS(th)VDS  =VGS, ID =250µA0.7
    1.4V
    Dynamic Characteristics    (note 4,5)
    Input capacitanceCissVDS  =15V,VGS =0V,f =1MHz

    1050pF
    Output capacitanceCoss
    99
    pF
    Reverse transfer capacitanceCrss
    77
    pF
    Gate resistanceRgVDS  =0V,VGS =0V,f =1MHz

    3.6
    Switching Characteristics    (note 4,5)
    Turn-on delay timetd(on)VGS=10V,VDS=15V, RL=2.7Ω,RGEN=3Ω

    5ns
    Turn-on rise timetr

    7ns
    Turn-off delay timetd(off)

    40ns
    Turn-off fall timetf

    6ns
    Drain-source diode characteristics and maximum ratings
    Diode forward voltage (note 3)VSDIS=1A,VGS=0V

    1V