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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
15N10 TO-252 85mΩ 10A 100v 量产 15N10 申请

* 上方15N10芯片参数仅供参考,详细技术参数请以15N10技术规格书为准

15n10属性15n10参数值
15n10目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
功率(Pd)28W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250μA

15n10场效应管参数

15N10 MOS描述


The QT 15N10 is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses QT’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The QT 15N10 is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and load switch.

15N10 mos特性


• RDS(ON)=0.08Ω @VGS=10V,ID=8A
• Low gate charge (Typ=24nC) 
• Low CRSS (Typ=23pF)
• High switching speed


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