mos管型号 | 沟道 | 封装 | 内阻(mΩ) | 电流(A) | 耐压(V) | 状态 | 代替型号 | 规格书 | 样品 |
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QT90N03 | TO-252 | 4.5mΩ | 80A | 30V | 量产 | 90n03 | ![]() |
申请 |
* 上方QT90N03芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT90N03技术规格书为准
QT90N03MOS管描述
QT90N03采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷。它可用于多种应用。
QT90N03MOS管应用
●电源开关应用
●硬开关和高频电路●不间断电源
QT90N03 MOS管主要特征
●VDS=30V,ID=90A
在VGS=10VRDS时,RDS(开)小于4.5mΩ在VGS=4.5V时,RDS(开)小于8.8mΩ
●高ESD能力的特殊工艺技术
●Lowerrdson的高密度电池设计
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好,均匀性好,EAS高
●良好的散热包装
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted)
Parameter | Symbol | Limit | Unit |
Drain-Source Voltage | VDS | 30 | V |
Gate-Source Voltage | VGS | ±20 | V |
Drain Current-Continuous | ID | 90 | A |
Drain Current-Pulsed (Note 1) | IDM | 360 | A |
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃) | PD | 79 | W |
Single pulse avalanche energy(Note 2) | EAS | 700 | mJ |
Operating Junction and Storage Temperature Range | TJ,TSTG | -55 To 175 | ℃ |
Thermal Characteristic
Thermal Resistance,Junction-to-Case | RθJC | 1.9 | ℃/W |
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient | RθJA | 62.5 | ℃/W |
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