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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT90N03 TO-252 4.5mΩ 80A 30V 量产 90n03 申请

* 上方QT90N03芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT90N03技术规格书为准

QT90N03MOS管描述


QT90N03采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷。它可用于多种应用。


QT90N03MOS管应用


●电源开关应用


●硬开关和高频电路●不间断电源


QT90N03 MOS管主要特征


●VDS=30V,ID=90A

在VGS=10VRDS时,RDS(开)小于4.5mΩ在VGS=4.5V时,RDS(开)小于8.8mΩ

●高ESD能力的特殊工艺技术

●Lowerrdson的高密度电池设计

●全特性雪崩电压和电流

●稳定性好,均匀性好,EAS高

●良好的散热包装

90N03大功率场效应管


Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

30

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

90

A

Drain Current-Pulsed (Note 1)

IDM

360

A

Maximum Power Dissipation(Tc=25)

PD

79

W

Single pulse avalanche energy(Note 2)

EAS

700

mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

-55 To 175


Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case

RθJC

1.9

/W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient

RθJA

62.5

/W


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