欢迎光临深圳市嘉芯业科技有限责任公司官方网站
咨询热线:13247610001     手机直线:13418500671

首页>>芯片选型>>中低高压MOS管>>N沟道中低压MOS管

mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT80N03 TO-252 6mΩ 80A 30v 量产 80n03 申请

* 上方QT80N03芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT80N03技术规格书为准

QT80N03特征:

RDS(ON), VGS@10V,ID@20A<6mΩ

RDS(ON),VGS@4.5V,ID@10A<9mΩ

高切换速度

改进的 dv/dt 功能

低栅极电荷

低反向传输电容

无铅符合欧盟 RoHS 2.0

符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

QT80N03 30v80A  NMOS场效应管

QT80N03 Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25 C unless otherwise noted)


image


PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNITS

Drain-Source Voltage

VDS

30

V

Gate-Source Voltage

VGS

+20

Continuous Drain Current (Note 4)

TC=25oC

ID

80


A

TC=100oC

50

Pulsed Drain Current (Note 1)

TC=25oC

IDM

320

Power Dissipation

TC=25oC

PD

55

W

TC=100oC

22

Continuous Drain Current (Note 4)

TA=25oC

ID

15

A

TA=70oC

12

Power Dissipation

TA=25oC

PD

2

W

TA=70oC

1.3

Single Pulse Avalanche Energy (Note 6)

EAS

80

mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

-55~150

oC

Typical Thermal Resistance (Note 4,5)

Junction to Case

RθJC

2.3

oC/W

Junction to Ambient

RθJA

62.5

QT80N03Features:

RDS(ON), VGS@10V,ID@20A<6mΩ

RDS(ON),VGS@4.5V,ID@10A<9mΩ

High switching speed

Improved dv/dt capability

Low Gate Charge

Low reverse transfer capacitance

Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

Green molding compound as per IEC 61249standard


了解更多深圳嘉芯业科技QT80N03最新应用方案,请联系我们。免费提供样品、测试板及方案开发,如需要QT80N03 30v80A NMOS 场效应管样品请点击申请

上一个热门MOS管型号:9926A 下一个热门MOS管型号:QT90N03