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mos管型号 沟道 封装 内阻(mΩ) 电流(A) 耐压(V) 状态 代替型号 规格书 样品
QT5N10 N SOT23-3 28mΩ 5A 100v 量产 NP5N10 申请

* 上方QT5N10芯片参数仅供参考,详细技术参数请以QT5N10技术规格书为准

5n10场效应管描述
QT5N10MI采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和
操作与栅极电压slowas2.5V。这个5n10场效应管适用于电池保护或其他开关应用
5n10场效应管一般特征
VDS=100VID=5A
RDS(ON)<160mΩ@VGS=10VRDS(ON)<170mΩ@VGS=4.5V
5n10场效应管应用
电池保护
负载开关不间断电源




Description
TheQT5N10MIusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasa
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
VDS=100VID=5A
RDS(ON)<160mΩ@VGS=10VRDS(ON)<170mΩ@VGS=4.5V
Application
Batteryprotection
LoadswitchUninterruptiblepowersupply




5n10场效应管

AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit
Drain-Source VoltageVDS100V
Gate-Source VoltageVGS±20V
Drain Current-ContinuousID3A
Drain Current-Pulsed (Note 1)IDM20A
Maximum Power DissipationPD1.5W
Operating Junction and Storage Temperature RangeTJ,TSTG-55 To 175
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)RθJA100℃/W





 
 

5n10pdf.jpg

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